晋江市集成电路产业优秀人才认定标准（试行）

晋江市集成电路产业优秀人才分为五类，符合《晋江市优秀人才认定标准（2015年）》和下列任一条目的人才均可认定为我市集成电路产业对应类别优秀人才。对于同时符合多个类别或条目的，按从高从优不重复原则确定优秀人才类别。对于未涵盖的其他相应层次的人才，由市委人才办会相关部门组织专家组或委托专业机构评定后报市委人才工作领导小组批准可纳入相应优秀人才类别。

第一类人才

（一）诺贝尔奖物理学奖、化学奖获得者；

（二）国际电气和电子工程师协会（IEEE）奖章获得者；

（三）美国工程界三大最高奖项：德雷铂奖（Charles Stark Draper Prize）、拉斯奖（Fritz J. and Dolores H. Russ Prize）、戈登奖（Bernard M. Gordon Prize）获得者；

（四）中华人民共和国国际科学技术合作奖获得者；

（五）中国机械工程学会科技成就奖、青年科技成就奖获得者；

（六）中国机械工业科学技术奖特等奖前3位完成人；

（七）美国、英国、德国、法国、日本、意大利、加拿大、瑞典、丹麦、挪威、芬兰、比利时、瑞士、奥地利、荷兰、西班牙、澳大利亚、新西兰、俄罗斯、以色列、印度、乌克兰、新加坡、韩国等的科学院院士、工程院院士（即成员member或高级成员fellow，见中国科学院国际合作局网站http://www.bic.cas.cn），台湾中央研究院院士；

（八）国际电气和电子工程师协会会士（IEEE Fellow）；

（九）国际工程技术学会会士（IET Fellow）；

（十）国际计算机学会会士（ACM Fellow）；

（十一）近10年，在《Nature》、《Science》或《Reviews of Modern Physics》杂志上以第一作者或通讯作者发表集成电路相关论文者；

（十二）在全球前25大半导体公司担任副总经理、副总裁或首席科学家以上职务累计5年以上者；

（十三）在集成电路设计、制造、集成器件制造（IDM）、封测、装备等领域全球前10大公司担任副总经理、副总裁或首席科学家以上职务累计7年以上者；

（十四）在集成电路材料（硅片、光罩材料等）、电子设计自动化（EDA）工具软件、硅智财（SIP）全球前5大公司担任副总经理、副总裁或首席科学家以上职务累计7年以上者。

第二类人才

（一）国际电气和电子工程师协会（IEEE）技术奖获得者；

（二）中国机械工业科学技术奖一等奖前2位完成人；

（三）在世界大学排名前200名的学校获评教授，并从事集成电路相关研究或教学者；

（四）取得博士学位，且近5年在期刊分区表中列入大类一区的学术期刊上以第一作者或通讯作者发表4篇以上集成电路相关论文者;

（五）在全球前25大半导体公司担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计5年以上者；

（六）在集成电路设计、制造、集成器件制造（IDM）、封测、装备等领域全球前10大公司担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计7年以上者；

（七）在集成电路设计、制造、封测等领域大陆或台湾前10大公司担任副总经理、副总裁或首席科学家以上职务累计7年以上者；

（八）在集成电路材料（硅片、光罩材料等）、电子设计自动化（EDA）工具软件、硅智财（SIP）全球前5大公司担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计7年以上者。

第三类人才

（一）中国机械工业科学技术奖二等奖第1位完成人；

（二）国际电气和电子工程师协会高级会员（IEEE Senior Member）；

（三）国际计算机学会资深会员 (ACM Senior Member)；

（四）国际工程技术学会高级会员（IET Member with post-nominals）；

（五）在世界大学排名前200名的学校获评副教授，并从事集成电路相关研究或教学者；

（六）在世界大学排名201-500名的学校获评教授，并从事集成电路相关研究或教学者；

（七）取得博士学位，且近5年在期刊分区表中列入大类一区的学术期刊上以第一作者或通讯作者发表2篇以上集成电路相关论文者；

（八）在全球前25大半导体公司担任二级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计5年以上者；

（九）在集成电路设计、制造、集成器件制造（IDM）、封测、装备等领域全球前10大公司担任二级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计7年以上者；

（十）在集成电路设计、制造、封测等领域大陆或台湾前10大公司担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计7年以上者；

（十一）在集成电路材料（硅片、光罩材料等）、电子设计自动化（EDA）工具软件、硅智财（SIP）全球前5大公司担任二级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计7年以上者；

（十二）取得世界大学排名前200名学校的博士学位，所学专业学科门类为理学、工学，且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者。

第四类人才

（一）中国机械工业科学技术奖三等奖第1位完成人；

（二）在全球前25大半导体公司技术研发、工程部门、管理部门担任经理、功能主管、资深工程师、主任工程师或其他相应职务以上累计5年以上者；

（三）在集成电路设计、制造、集成器件制造（IDM）、封测、装备等领域全球前10大公司技术研发、工程部门、管理部门担任经理、功能主管、资深工程师、主任工程师或其他相应职务以上累计7年以上者；

（四）在集成电路设计、制造、封测等领域大陆或台湾前10大公司担任二级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计7年以上者；

（五）在集成电路材料（硅片、光罩材料等）、电子设计自动化（EDA）工具软件、硅智财（SIP）全球前5大公司技术研发、工程部门、管理部门担任经理、功能主管、资深工程师、主任工程师或其他相应职务以上累计7年以上者；

（六）在国家知识产权优势企业担任一级科研、技术、工程等部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应科研技术职务以上累计5年以上者；

（七）取得世界大学排名前200名学校的硕士学位，所学专业学科门类为理学、工学，且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者。

第五类人才

（一）在国家鼓励的集成电路企业担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应科研技术职务以上累计5年以上者；

（二）在高新技术企业担任一级科研、技术、工程等部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应科研技术职务以上累计5年以上者；

（三）在省级知识产权优势企业担任一级科研、技术、工程等部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应科研技术职务以上累计5年以上者；

（四）取得世界大学排名前500名学校的学士学位，所学专业学科门类为理学、工学，且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者；

（五）取得“985工程”大学、中国科学院大学的理学、工学学士学位，且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者；

（六）取得相关国家部委支持（筹备）建设示范性微电子学院高校的示范性微电子学院学士学位，且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者。

说明

国际电气和电子工程师协会（IEEE）奖章：

IEEE Medal of Honor

IEEE Alexander Graham Bell Medal

IEEE Edison Medal

IEEE James H. Mulligan, Jr.Education Medal

IEEE Medal for Environmental and Safety Technologies

IEEE Founders Medal

IEEE Richard W. Hamming Medal

IEEE Medal for Innovations in Healthcare Technology

IEEE Jack S. Kilby Signal Processing Medal

IEEE/Royal Society of Edinburgh (RSE) Wolfson James Clerk Maxwell Award

IEEE Jun-ichi Nishizawa Medal

IEEE Robert N. Noyce Medal

IEEE Dennis J. Picard Medal for Radar Technologies and Applications

IEEE Medal in Power Engineering

IEEE Simon Ramo Medal

IEEE John von Neumann Medal

IEEE Honorary Membership

国际电气和电子工程师协会（IEEE）技术奖项：

IEEE Biomedical Engineering Award

IEEE Cledo Brunetti Award

IEEE Components, Packaging, and Manufacturing Technology Award

IEEE Control Systems Award

IEEE Electromagnetics Award

IEEE James L. Flanagan Speech and Audio Processing Award

IEEE Fourier Award for Signal Processing

IEEE Andrew S. Grove Award

IEEE Herman Halperin Electric Transmission and Distribution Award

IEEE Masaru Ibuka Consumer Electronics Award

IEEE Internet Award

IEEE Reynold B. Johnson Information Storage Systems Award

IEEE Richard Harold Kaufmann Award

IEEE Joseph F. Keithley Award in Instrumentation and Measurement

IEEE Gustav Robert Kirchhoff Award

IEEE Leon K. Kirchmayer Graduate Teaching Award

IEEE Koji Kobayashi Computers and Communications Award

IEEE William E. Newell Power Electronics Award

IEEE Daniel E. Noble Award for Emerging Technologies

IEEE Donald O. Pederson Award in Solid-State Circuits

IEEE Frederik Philips Award

IEEE Photonics Award

IEEE Emanuel R. Piore Award

IEEE Judith A. Resnik Award

IEEE Robotics and Automation Award

IEEE Frank Rosenblatt Award

IEEE David Sarnoff Award

IEEE Marie Sklodowska-Curie Award

IEEE Innovation in Societal Infrastructure Award

IEEE Charles Proteus Steinmetz Award

IEEE Eric E. Sumner Award

IEEE Nikola Tesla Award

IEEE Kiyo Tomiyasu Award

IEEE Transportation Technologies Award

IEEE Frederik Philips Award

三、全球前25大半导体公司，集成电路设计、制造、集成器件制造（IDM）、封测、装备等领域全球前10大公司和大陆或台湾前10大公司，及集成电路材料（硅片、光罩材料等）、电子设计自动化（EDA）工具软件、硅智财（SIP）全球前5大公司名单参照国际级研究机构IC Insights、Trendforce、Gartner、IDC或IHS发布的最近年度企业排名。在此类公司总部任职人员，按照本标准认定人才类别；在此类公司的分公司、全资子公司、控股子公司或地区总部任职人员按照本标准降低一级认定人才类别；

四、世界大学排名参照英国泰晤士高等教育发布的最近年度高等教育世界大学排名；

五、期刊分区参照中国科学院发布的论文发表当年度期刊分区情况；

六、专业学科门类认定参照国家相关部委发布的最新版《学位授予和人才培养学科目录》；

七、“985工程”学校名单（39所）：北京大学、中国人民大学、清华大学、北京航空航天大学、北京理工大学、中国农业大学、北京师范大学、中央民族大学、南开大学、天津大学、大连理工大学、东北大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、复旦大学、同济大学、上海交通大学、华东师范大学、南京大学、东南大学、浙江大学、中国科学技术大学、厦门大学、山东大学、中国海洋大学、武汉大学、华中科技大学、湖南大学、中南大学、国防科学技术大学、中山大学、华南理工大学、四川大学、电子科技大学、重庆大学、西安交通大学、西北工业大学、西北农林科技大学、兰州大学；

八、支持（筹备）建设示范性微电子学院的高校名单、国家鼓励的集成电路企业名单、国家（省级）知识产权优势企业名单、高新技术企业名单以相关部门发文公布的最新版为准；

九、本标准中所有奖项、荣誉、职称等的获得都必须源于集成电路领域的成就与贡献；

十、本标准中的“以上”包括本级（本数）；

十一、本标准自发布之日起30日后施行，截止日期至2021年10月11日，发布实施后，将适时根据实际运行情况及集成电路重点鼓励业态的变动予以相应调整。

　　财税〔2017〕17号

　　各省、自治区、直辖市、计划单列市财政厅（局）、国家税务局、地方税务局，新疆生产建设兵团财务局：

　　按照《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》（国发〔2011〕4号）有关要求，现就集成电路企业增值税期末留抵退税事项涉及的城市维护建设税、教育费附加和地方教育附加政策明确如下：

　　享受增值税期末留抵退税政策的集成电路企业，其退还的增值税期末留抵税额，应在城市维护建设税、教育费附加和地方教育附加的计税（征）依据中予以扣除。

　　本通知自发布之日起施行。

　　       财政部   税务总局   

　   　     2017年2月24日    

一 、总　则

（一）为做好泉州市专利奖的评奖工作，根据《泉州市专利奖评奖规定》(泉政文〔201６〕129号,以下简称“评奖规定”），制定本细则。

（二）本细则适用于泉州市专利奖的申报、推荐、评审、授奖、异议处理及中国专利奖、福建省专利奖配套奖励等各项活动。

中国专利奖、福建省专利奖配套奖授予本市辖区内获奖的企事业单位或者个人。

（三）泉州市专利奖鼓励创新成果取得专利权，促进专利实施和商用化，表彰为本市经济、社会发展做出突出贡献的专利权人及专利实施单位。

  二 、机构设置

（四）泉州市专利奖评审委员会（以下简称市评审委员会）设主任1名，由市人民政府分管知识产权工作的副市长担任；副主任2名，由市政府分管副秘书长、市知识产权局局长担任；成员由科技、经济等领域的专家和有关行政管理部门的领导11～15人组成。市评审委员会成员名单由泉州市知识产权局提出，报泉州市人民政府批准后公布。

市评审委员会负责泉州市专利奖评审工作管理与指导；审议确定泉州市专利奖拟获奖的申报人、专利项目和等级，并报请市政府审定；异议裁决，决定和处理泉州市专利奖评审过程中的重大事项等。

（五）泉州市专利奖评审委员会下设办公室（以下简称“市评审办公室”）和专业评审组。市评审办公室设在泉州市知识产权局，作为市评审委员会的具体办事机构，负责市评审委员会日常工作和评审的组织工作。

设若干组专业评审组，由市评审办公室根据当年度泉州市专利奖申报项目情况设立，专业评审组成员从国家知识产权专家库、泉州市专家库、泉州市知识产权专家库、以及有关高校、科研院所和企业研发部门遴选具备资质的专家、学者组成。根据需要，专业评审组成员每两年进行不低于30%的轮换。　

各专业评审组设组长1人，成员若干人，总数为单数。

专业评审组成员及市评审委员会委员在评审过程应遵守回避制度，与参评专利项目有利害关系的人员不得参加该专利项目的评审。

三、申报条件

（六）申报泉州市专利奖必须同时具备《评奖规定》第六条的申报条件。

《评奖规定》第六条第（一）项所称“泉州市行政区域内的单位和个人”是指“专利权人”和“独占实施许可单位”为本市辖区内的单位或个人。

《评奖规定》第六条第（三）项所称“专利权属纠纷”是指一项发明创造被授予专利权后，当事人之间就谁应当是发明创造的真正权利人而发生的纠纷。

《评奖规定》第六条第（三）项所称“发明人或设计人纠纷”，是指发明人或设计人资格纠纷尚未解决的或职务发明的发明人和设计人的奖励和报酬纠纷尚未解决的。

《评奖规定》第六条第（三）项所称“提起专利权无效宣告请求”是指任何单位或者个人认为某一专利权的授予不符合专利法有关规定，而请求专利复审委员会宣告该专利权全部或者部分无效。

《评奖规定》第六条第（五）项所称“经济效益”主要指该专利实施后新增销售额和新增税收；所称“社会效益”主要指该专利在带动区域经济发展、增加社会就业、出口创汇和替代进口，促进自主创新和节能环保以及提高居民生活质量等情况。

（七）专利权人独占实施许可泉州市辖区内单位实施其专利并产生显著经济社会效益的，经专利权人出具书面同意书，实施单位可以申报泉州市专利奖。专利权人与专利项目实施单位同一年度内不得同时申报泉州市专利奖。

（八）专利权人为两个或两个以上的，申报泉州市专利奖时所有专利权人要出具书面同意书，并协商指定其中一个专利权人申报。

四、奖项设置和评奖标准

（九）根据《评奖规定》，泉州市专利奖设重大发明专利奖和一、二、三等奖，授奖项目51项，其中：重大发明专利奖1项，一等奖5项，二等奖15项，三等奖30项。

1. 重大发明专利奖奖励人民币100万元；

2. 一等奖每项奖励人民币20万元；

3. 二等奖每项奖励人民币10万元；

4. 三等奖每项奖励人民币5万元。

参评项目不符合泉州市专利奖重大发明专利奖评奖条件的，重大发明专利奖可以空缺，空缺年度可增设1项泉州市专利奖一等奖。

（十）对项目实施地在泉州市，获中国专利金奖和优秀奖的，分别按泉州市专利奖重大发明专利奖和一等奖的奖励金额颁发奖金；获中国外观设计金奖和优秀奖的，分别按泉州市专利奖一等奖和二等奖的奖励金额颁发奖金。

对项目实施地在泉州市，获福建省专利奖特等奖的，按泉州市专利奖重大发明专利奖奖励金额颁发奖金；获福建省专利奖一等奖的，按泉州市专利奖一等奖奖励金额颁发奖金。

对项目实施地在泉州市，在同一年度获得中国专利奖、福建省专利奖的项目，按最高奖项颁发奖金，不重复奖励。

（十一）符合下列条件的发明专利项目，可以评为重大发明奖：

1. 在产业关键技术领域取得重大突破，参与国内外市场竞争发挥了重要作用，对促进本领域的技术进步与创新有巨大贡献；

2. 在专利技术实施推广中取得巨大经济效益和社会效益，经济效益主要评价该专利项目上一年度新增销售额不低于1亿元、新增税收不低于1000万元等情况；社会效益主要评价实施该专利对解决制约行业发展重大难题，对促进我市自主创新和节能环保、增加社会就业以及提高人民生活质量的全面发展具有特别重大贡献等情况。

（十二）符合下列条件的发明专利项目，可以评为一等奖：

1. 参与国内外市场竞争发挥了重要作用，对促进本领域的技术进步与创新有突出贡献；

2. 实施该项专利对提高产品市场竞争力和单位综合实力发挥了重要作用，取得显著经济效益和社会效益。

（十三）对促进本领域的技术创新贡献程度较大，实施该项专利取得显著经济效益和社会效益，可以评为二等奖。

（十四）技术方案原创性较强，实施该项专利取得较好的经济效益和社会效益，具有良好的发展前景，可以评为三等奖。

五、申报程序

（十五）申报泉州市专利奖必须提供下列材料：

1. 申报人应按照要求填写由市评审办公室统一制作的《泉州市专利奖申报书》，并按评审当年规定的时间申报；

2. 申报人为单位的，提供营业执照统一社会信用代码证书（事业单位法人代码证书）复印件并加盖公章；申报人为个人的，提供身份有效证件复印件并签名；

3. 专利证书扫描件及授权公开的完整专利文献文本（发明或实用新型专利包括扉页、权利要求书、说明书、说明书附图；外观设计专利包括扉页、外观设计图片或照片）；

4. 出具国家知识产权局的缴交专利年费收据或专利登记簿副本；

5. 2份参评专利申请日之后的同类技术对比材料；

6. 实用新型专利、外观设计专利需提供国家知识产权局或国家知识产权局专利检索咨询中心出具的专利权评价报告（检索报告）；

7. 国家法律法规要求检测或审批的产品（主要指食品、药品、医疗器械、通信设备、压力容器、基因工程技术产品等特殊产品），需出具检测机构的产品检测报告或行业审批文件；对形成国家或国际标准发挥作用的，需提供标准管理部门的证明材料；

8. 该专利技术的经济、社会效益证明材料；

9. 两张不同的申报项目彩色照片。

（十六）申报泉州市重大发明专利奖的，除提供第（十五）规定的申报材料外，须提供经财政部核准的资产评估机构出具的证明该专利项目产业化的经济效益专项审计报告，并在《申报书》封面右上角标注“申报泉州市专利奖重大发明专利奖”。

（十七）泉州市直主管部门、高等院校、科研院所、各县（市、区）、泉州开发区、泉州台商投资区知识产权管理部门为推荐单位，接受专利权人的申报；推荐单位应对照申报条件对申报材料是否齐全、合格、有效进行初步审查、提出推荐意见并上报市评审办公室。申报材料不符合规定的，推荐单位或市评审办公室应要求申报人在指定的时间内补正；逾期未补正或经补正仍不符合规定的，不予提交评审。

（十八）推荐单位按照下列要求对申报材料进行审查：

1. 是否符合《评奖规定》及本细则规定的申报条件。

2. 提供的材料是否齐全、合格、有效。

（十九）法律、行政法规规定必须取得有关许可证，且直接关系到人身健康、公共安全和公共利益的项目，如动植物新品种、实验动物、食品、药品、基因工程技术和产品等，在未获得相关的许可证之前，不得申报或推荐参加泉州市专利奖评审。

（二十）经过评审未授奖的申报人，在以后研究开发和实施活动中获得新的实质性进展，并符合《评奖规定》及本细则有关规定条件的，可按照规定的程序再次申报泉州市专利奖。

连续两年参加评审未获奖的，如再次申报或推荐须隔一年进行，并提供新增的经济社会效益证明材料。

（二十一）在申报之后、评审结果公布之前，若出现专利权属纠纷、被请求宣告专利权无效的情形，确实影响该专利法律状态的，该专利项目不得继续参与评奖。

六、评审程序

     泉州市专利奖的评审按下列程序进行：

（二十二）形式审查。形式审查。由市评审办公室对申报材料进行形式审查，符合要求的予以受理；不符合要求的，通知申报者在３个工作日内补正，逾期不补正或补正后仍不合格的，不予受理。

（二十三）公布与异议。将形式审查合格受理的申报单位、申报项目在相关媒体上公示，接受社会的监督，异议期为７天。

任何单位或个人对泉州市专利奖申报材料的真实性，以及申报人、申报项目及权属关系持有异议，应当在公布之日起7日内向市评审办公室提出，逾期且无正当理由的，不予受理。

（二十四）初评。由专业评审组完成。初评以会议形式或其他形式分组进行。会议形式由专业评审组组长主持评审工作，主要审查和评价申报项目的创新性、先进性、实用性及经济社会效益等。必要时专业评审组可实地考察、检验、测试，验证其真实性和准确性，也可进行质询，由申报者答辩。专业评审组按照评审标准及评价指标进行综合评价，以记名方式提出初评意见，并上报市评审办公室。

（二十五）审议。市评审办公室汇总初评意见，向市评审委员会提出申报人、获奖专利项目和奖励等级的建议。市评审委员会召开泉州市专利奖评审会，对市评审办公室提出的奖励建议进行审议，确定拟奖励的申报人、获奖专利项目及奖励等级。

市评审委员会在到会委员数达到或超过三分之二的情况下，按照评奖规定的评奖标准依次对建议奖励的项目进行投票表决。重大发明奖应获得三分之二以上（含三分之二）参会委员的通过，其余奖项均应获得二分之一以上(不含二分之一)参会委员的通过。

 （二十六）评审结果公示与异议。市评审委员会根据评审结果作出申报人、获奖专利项目和奖励等级的决议，由市评审办公室在有关媒体或政务网站上对评审结果进行公示，公示期为７天。任何单位或个人对泉州市专利奖申报人、获奖专利项目的评审结果持有异议的，应当在评审结果公示之日起７日内向市评审办公室提出，逾期不予受理。

七、异议的处理　　　

（二十七）单位或者个人就形式审查、评审结果向市评审办公室提出异议的，须在提出异议之日起５日内如实提出异议理由和相应的证明材料，需要保密的可在异议材料中注明。提出异议的单位或个人在规定时间内未按要求提供相关证明材料的，视为放弃异议。

单位提出异议的，应在异议材料上加盖公章，写明联系方式和联系人；以个人名义提出异议的,须写明异议人真实姓名、工作单位、联系电话和详细地址。

（二十八）市评审办公室在接到异议材料后，应当对异议内容进行审查，如果异议内容及其证明材料符合有关规定的，应予以受理；匿名提出异议的不予受理。

（二十九）异议由市评审办公室负责协调处理。涉及异议的任何一方应当积极配合，不得推诿和延误。项目申报人应当在接到异议通知之日起5日内对异议情况进行书面答复，同时将有关证明材料报送市评审办公室审核。市评审办公室认为必要时，可以组织有关专家、人员进行调查，提出处理意见。项目申报人在规定时间内未按要求提供相关证明材料的，视为承认异议内容。

（三十）市评审办公室应当向市评审委员会报告异议核实情况及处理意见，经市评审委员会同意后将处理意见通知提出异议的单位或个人。

八、授　奖

（三十一）市评审办公室将市评审委员会审议的泉州市专利奖申报人、获奖专利项目和奖励等级，结合公示情况进行审核、处理后报市政府批准。

（三十二）市政府对获得泉州市专利奖的专利权人或专利项目实施单位颁发奖牌和奖金；对获奖项目的发明人或设计人颁发证书，并通过有关媒体予以公布。

获奖专利权人为单位的或者获奖专利项目的实施单位，应给予发明人或设计人不低于所获奖金50%的奖励。

（三十三）市评审办公室应将获奖专利项目的材料进行整理、归档；未获奖的专利项目申报材料不予退还。

九 、监督管理

（三十四）申报人通过弄虚作假等方式骗取泉州市专利奖的，根据具体情况给予通报批评、撤销奖励、收回奖牌、奖金和证书，５年内不得再申报泉州市专利奖，违法的依法追究相应责任。

对于推荐单位通过弄虚作假等方式协助申报人骗取泉州市专利奖的，由市评审办公室根据情况给予通报批评及不再接受其泉州市专利奖申报推荐，违法的依法追究相应责任。

（三十五）评审过程中弄虚作假、玩忽职守、徇私舞弊等妨碍市专利奖评审活动正常进行的，依照有关规定追究相应责任。

   十 、附　则

（三十六）本实施细则由泉州市知识产权局负责解释。

（三十七）本实施细则自2017年1月1日起施行，有效期五年。

关于印发加快集成电路产业发展政策意见的通知

（锡政发〔2016〕272号）

各市（县）、区人民政府，市各委办局，市各直属单位：

现将《无锡市加快集成电路产业发展的政策意见》印发给你们，请认真贯彻执行。

无锡市人民政府

                                2016年12月27日

无锡市加快集成电路产业发展的政策意见 

第一条  为进一步贯彻落实《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》（国发〔2011〕4号）、《国家集成电路产业发展推进纲要》以及《省政府关于加快全省集成电路产业发展的意见》（苏政发〔2015〕71号）精神，根据市委《关于推进现代产业发展的政策意见》（锡委发〔2015〕56号）、《关于实施“太湖人才计划”打造现代产业发展新高地的意见》（锡委发〔2016〕28号）等相关文件精神，制定无锡市“十三五”期间加快集成电路产业发展的政策意见。

第二条  本意见所涉政策适用于在无锡市区工商注册、税务登记并从事集成电路设计、制造、封测以及配套支撑的相关国有、民营及合资企业、机构。

第三条  本政策重点扶持技术创新、应用创新、产业链整合、企业做大做强等。重点聚焦、培育若干个国内外知名的集成电路龙头企业，扶持一批“专、精、特、新”的中小型集成电路企业。力争在“十三五”期间，全市集成电路产业产值突破1000 亿元，其中，设计业120亿、制造业250亿、封测业350亿、配套支撑300亿。

第四条  设立总规模200亿元的无锡市集成电路产业投资基金，首期募集规模50亿元，其中，财政引导资金占比20 %。基金主要用于集成电路产业链重大投资项目的引进，推动重点企业产能水平提升，鼓励兼并重组，对接国家和江苏省相关产业投资基金，配套支持我市集成电路产业项目等。基金按照“政府引导、社会参与、市场运作”的原则，以股权投资、参股投资等方式，委托专业机构运作。鼓励社会各类风险投资、股权投资基金、信保基金支持我市集成电路产业项目。

第五条  设立基金的同时，无锡市政府每年再拿出1亿元资金用于扶持全市集成电路产业发展。

第六条  鼓励国内外知名企业在我市设立独立法人的集成电路企业或研发机构，对到帐资金5000万元以上且正常运行1年以上的集成电路设计企业，给予到账资金5%的奖励，最高不超过300万。对引进总投资超过10亿元（含10亿元）的重大产业项目，补助金额按照锡委发〔2015〕56号文件执行。对市场前景好、产业升级带动作用强、地方经济发展支撑力大的特别重大产业项目，“一事一议”确定补助金额。

第七条  支持龙头骨干企业提升经营业绩。对上年净增税收收入排名前5位的集成电路生产企业和净增税收收入排名前5位的集成电路设计企业进行分类分档奖励，奖励额度不超过该年度企业对地方财政的贡献份额，最高不超过100万元，同一企业就高不重复计算。对获得全国质量标杆、国家技术创新示范、国家工业产品质量控制和技术评价实验室的企业，给予最高不超过100万元的奖励。对获得无锡市市长质量奖的获奖企业进行奖励，最高不超过100万元。

第八条  鼓励引导企业通过兼并、收购、联合、参股等多种形式开展跨地区、跨行业、跨所有制、跨国（境）的兼并重组和投资合作。对成功并购市内外企业（含重点研发机构），按照并购方对目标企业的实际现金购买价格、承担债务金额或者目标企业净资产作价入股金额超1000万元，且合并后有明显成效的企业，最高给予5％的并购补贴,单个项目最高不超过 300 万元，补助办法按照锡委发〔2015〕56号文件执行。

第九条  鼓励企业通过上市、收购控股上市公司、新三板挂牌等直接融资方式募集资金。其中，报江苏证监局辅导并取得备案通知书的拟上市企业，给予最高不超过50万元的奖励；首次公开发行股票（IPO）申请材料被中国证监会正式受理的拟上市企业，给予最高不超过50万元的奖励；首次公开发行股票，并在境内A股上市的企业，且募集资金80%以上投资无锡地区，给予最高不超过100万元的奖励；企业在境外交易所首发上市的企业，且募集资金80%以上投资无锡地区，给予最高不超过200万元的奖励；收购控股上市公司（“买壳”、“借壳”），且将工商注册地迁入无锡市区的企业，给予最高不超过 100 万元的奖励；企业在“新三板”成功挂牌，给予最高不超过30万元的奖励，补助办法按照锡委发〔2015〕56号文件执行。

第十条  支持集成电路产业关键技术和高端产品研发。每年重点支持10个拥有自主知识产权、市场前景好的优秀集成电路产业项目，按照项目已投入的10%给予支持，最高不超过300万元。

第十一条  支持集成电路企业购买IP（IP提供商或者Foundry IP模块）开展高端芯片、先进或特色工艺研发，给予IP购买直接费用40%的补贴，单个企业每年总额不超过200万元。复用、共享本市第三方IC设计平台的IP设计工具软件或测试与分析系统，给予实际费用50%补贴，单个企业年补贴不超过100万元。

第十二条  鼓励集成电路产业链上下游合作。对在本市集成电路生产企业进行重点支持领域的工程产品流片的设计企业，按该款产品掩膜版制作费用的60%或首轮流片费用的30%给予研发支持，单个企业每年最高不超过300万元。

第十三条  支持公共平台建设。对新建的专业技术或综合科技服务平台，按照项目技术和设备投资的10%给予资助，每家资助最高不超过100万元。对公共服务平台（机构）根据服务中小企业的成果和业绩给予资助，每家资助最高不超过100万元，补助办法按照锡委发〔2015〕56号文件执行。

第十四条  对产业升级创新领军人才，给予企业每引进1名领军人才10000元的一次性引才工作补贴，以及领军人才全月应纳税所得额30%的薪酬补贴，补贴时限为12个月，最高不超过30万元。领军人才在锡购房，经认定的，给予30万元的安家补贴。对于企业引进能带来符合我市产业发展方向的重大科研成果，产生重大影响、带来显著经济社会效益的国内外顶尖人才实行“一事一议”补贴，补助办法按照锡委发〔2016〕28号文件执行。

第十五条  加强政策指导和部门协调，优化办税流程，加快退税进度，全面落实国发〔2011〕4号、财税〔2012〕27号、财税〔2015〕6号、财关税〔2015〕46号和财税〔2016〕49号文件规定税收优惠政策，对符合条件的集成电路企业实行税收减免。

第十六条  支持企业参加境内外各类专业展销会、订货会、博览会等，对符合条件的，按照参展展位费、特装费、公共布展费等费用的50%给予补助，最高不超过10万元，补助办法按照锡委发〔2015〕56号文件执行。

第十七条  强化基础环境建设，优化行政审批服务，保障重点集成电路企业的网络、水、电、气等供应。按照《关于降低实体经济企业成本促进经济平稳健康发展的实施意见》（锡委发〔2016〕30号），对符合一定条件的企业，给予优惠。

第十八条  本意见由无锡市集成电路产业领导小组办公室负责解释。所涉政策自发布之日起实施，有效期至2020年12月31日止。原则上，同一年度，单个企业，只能享受一次市级专项资金资助。本政策与我市其它政策有重叠、交叉的，按照“从优、从高、不重复”的原则执行。

厦门市民政局准予行政许可决定书(准予登记厦门市集成电路行业协会)

（厦民社许准字〔2016〕第43号）

厦门科技产业化集团有限公司、厦门优迅高速芯片有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、厦门元顺微电子技术有限公司、厦门紫光展锐科技有限公司5家发起单位：

你们送来的《关于申请成立登记厦门市集成电路行业协会的请示》收悉。根据《社会团体登记管理条例》第十二条的规定，经审查，同意成立“厦门市集成电路行业协会”，准予登记注册，属社会团体法人。

 “厦门市集成电路行业协会” 统一社会信用代码：51350200MJB9635865；法定代表人：黄以明；办公地点：厦门市思明区软件园二期观日路34号101A室；电话：18750939896。 

                               2016年12月20日

关于促进中关村国家自主创新示范区集成电路设计产业发展的若干措施

　中科园发[2016]37号

　　为贯彻落实中央关于全面深化改革、实施创新驱动发展战略决策部署和习近平总书记系列重要讲话精神，深入实施《国家集成电路产业发展推进纲要》和《北京市进一步促进软件产业和集成电路产业发展若干政策》（京政发〔2014〕6号），加快构建首都“高精尖”经济结构，推动中关村集成电路设计产业创新发展，特制定本措施。

　　一、支持集成电路设计企业加大新产品研发力度。重点支持集成电路设计企业流片和掩膜版制作。对开展工程产品首轮流片的集成电路设计企业，按照该款产品首轮流片合同金额的20%或掩膜版制作合同金额的20%予以研发资金支持，单个企业支持资金最高不超过200万元。

　　二、支持集成电路设计企业不断提升创新能力。对经认定的具有重大战略意义、拥有自主知识产权、处于国际先进水平的重大产业化项目，海淀区政府优先给予政府股权投资或者研发资金支持。支持企业不断加大研发投入，对年收入超过100亿元（含）且研发投入达5%、年收入50亿元（含）至100亿元且研发投入达6%、年收入10亿元（含）至50亿元且研发投入达7%、年收入5亿元（含）至10亿元且研发投入达10%的集成电路设计企业，分别一次性给予最高不超过300万元、200万元、100万元、50万元的资金支持。

　　三、支持集成电路设计领域创业孵化。支持以集成电路设计为重点的创新型孵化器建设，根据服务企业的数量、服务效果、人才吸引、产业集聚等情况，给予最高不超过100万元的一次性资金支持。鼓励集成电路创业企业发展，对首次获得创业投资机构投资的集成电路设计企业，给予不超过获得投资总额10%、最高不超过100万元的资金支持。

　　四、支持集成电路设计产业共性技术平台和产业促进服务平台建设。支持集成电路企业、产业技术联盟、专业机构联合产业链上下游企业或用户单位，共同搭建共性技术服务平台和产业促进服务平台。支持平台按照市场化机制提供或组织技术研发、检验测试、成果转化、组建专利池、知识产权服务、示范推广、电子设计自动化（EDA）、展示交流、产业论坛等服务，提升行业服务能力。对上述平台给予不超过建设投资额50%、最高不超过500万元的一次性资金支持；对平台提供的服务按照当年服务收入30%、不超过300万元给予资金支持，支持期限为三年。

　　五、支持集成电路设计企业与整机企业联动发展。对智能硬件、智能制造和信息安全等领域整机、系统应用龙头企业首次使用中关村集成电路设计企业产品进行应用研发的，采购方注册在中关村示范区的，按照实际采购合同金额的20%对整机厂商给予资金支持；采购方注册在非中关村示范区的，按照实际采购合同金额的20%对集成电路设计厂商给予资金支持，单个企业支持资金最高不超过500万元。

　　六、支持集成电路设计企业参与军工合作。对于承接研发军方项目的集成电路设计企业，海淀区政府给予项目协议金额30%的资金支持，最高支持资金200万元。对于集成电路设计企业参与国防和军队建设所进行的技术改造投资贷款，海淀区政府给予贷款贴息，最高金额不超过300万元。

　　七、支持企业吸引和培育全球集成电路设计领军人才。优先推荐掌握国际最尖端集成电路技术、并在中关村实现成果转化的高端领军人才申报参评“千人计划”“海聚工程”“高聚工程”，对入选者提供100万元资金支持。上述人才自动入选“海英人才”，给予“海英人才”入选者或团队连续三年、每年最高30万元（团队50万元）的资金支持。对上述高端人才优先落实居留与出入境、子女入学、职称评审、公租房等人才特区支持政策，在公租房方面给予最高额房租补助和最长使用期限的支持。

　　八、加大对集成电路设计产业的金融支持力度。建立全方位的集成电路产业发展的金融服务体系。鼓励设立集成电路产业成果转化基金。推动融资租赁公司针对集成电路设计企业开展以知识产权、软件等无形资产为标的物的租赁服务。

　　九、推动集成电路设计企业形成产业集聚。鼓励集成电路产业跨区域布局，重点支持京津冀集成电路产业集群建设，推动设计企业与制造、封装测试企业联动发展。支持在中关村核心区等区域设立中关村集成电路设计产业园，吸引创业企业、行业龙头企业和专业机构入驻。对园区入驻企业，根据认定等级，每家企业按照补贴面积不超过1000平方米、每天最高3元/平方米的标准，连续三年给予房租补贴。支持共建人才培养基地，形成人才、技术、项目、实践的有效互动。

　　十、推动在集成电路企业开展进出口通关政策试点。推动海关、出入境检验检疫等部门对集成电路设计企业实施贸易电子化手册管理，建立“研发设计+分包加工”相结合的集成电路全产业链信息化监管新模式，试行全流程保税业务，为集成电路设计企业提供更加快速、便利的口岸服务。

　　本措施由中关村科技园区管理委员会和海淀区人民政府负责解释，自发布之日起施行。《关于促进中关村国家自主创新示范区集成电路设计产业发展的若干措施》（中科园发〔2015〕12号）同时废止。

湖南省电子信息制造业“十三五”发展规划

（湘经信电子通信〔2016〕630号）

各市州经信委、省直管试点县（市）经信局：

　　根据《湖南省国民经济和社会发展第十三个五年计划纲要》，我委组织编制了《湖南省电子信息制造业“十三五”发展规划》，现印发给你们。请结合实际，认真贯彻实施。

湖南省经济和信息化委员会  

2016年12月5日 

湖南省电子信息制造业“十三五”发展规划

       电子信息制造业是创新发展的先导力量，是国民经济中的战略性、基础性、先导性、支柱性产业。科学规划与引导“十三五”时期全省电子信息制造业发展，对深入实施创新驱动发展战略、推进供给侧结构性改革、构建产业新体系、加快制造强省建设具有重要意义。根据《湖南省国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要》、《湖南省贯彻〈中国制造2025〉建设制造强省五年行动计划（2016—2020）》的总体要求，特编制本规划。

       关于集成电路发展重点

      建设国家集成电路产业特色集聚区，打造以安全自主可控芯片设计为核心的特色产业集群。充分发挥集成电路设计龙头企业的带动作用，在CPU、GPU、DSP、固态存储控制器等高端通用芯片的研发及产业化上积极对接国家战略。开发基于移动互联网、物联网、车联网等消费类领域的商业化芯片，培育一批以工业控制、轨道交通、汽车电子等芯片为主业的集成电路企业。支持8英寸IGBT和6英寸晶圆等特色工艺生产线建设。积极承接国内外先进封测业转移，推动IGBT等功率器件模块封装技术发展。支持企业开发集成电路装备，引领国产高端装备向产业化、成套化发展。

       集成电路提升工程

       集成电路设计业。争取在CPU、DSP、GPU、模数/数模转换、固态硬盘存储控制等关键芯片国产化上实现突破，重点开发卫星电视、WiFi、蓝牙、射频、电源管理等消费类电子芯片/模块，以及促进两化深度融合的关键专用集成电路产品，形成系统方案解决能力。加快培育一批集成电路设计“小巨人”企业。

　　集成电路制造业。推动6英寸/8英寸特色晶圆制造项目，加快技术升级和产能扩充，加强模拟、数模混合、微电子机械系统（MEMS）等多种工艺开发。鼓励发展适用于军工产品等小批量、多品种的集成制造技术产业平台或代工厂。

　　集成电路封装测试业。积极承接国内外封装测试业转移，加快封装测试配套能力建设，推动封装工艺技术升级和产能扩充，提高测试技术水平和产业规模。

　　集成电路装备和材料。重点突破Si基、SiC基IGBT器件、SOI高温压敏芯片及铁电存储器等关键装备，实现有源层制备工艺发展掺杂、外延生长、离子注入等关键工艺和设备。支持SOI材料、SiC材料、铁电薄膜材料、AlSiC基板、AlN覆铜板、电子级硅胶、硅橡胶等材料，提早布局耐高温绝缘灌封材料。

　　公共服务平台建设。大力支持集成电路产学研融合协同育人设计实践平台、长沙经开区IC基地建设。积极探索专业园区牵头、高校支撑、企业参与、市场化运作的模式，实现“育人＋服务”双目标。

　　重点支持中国中车、中国电科48所、国科微、景嘉微、融创微、融和微等企业发展。重点支持长沙（高新区、经开区）、株洲等地发展集成电路产业，形成产业集聚。

加快培育集成电路产业

　　11月15日，市政府出台《关于支持石家庄（正定）中关村集成电路产业基地发展的若干意见》（以下简称“《意见》”），从投融资支持、基础设施建设、人才引进、优化发展环境等六方面入手，积极推进石家庄（正定）中关村集成电路产业基地（以下简称“基地”）的建设。

　　在加大投融资支持方面，《意见》提出，将设立集成电路产业投资基金，基金总规模100亿元，首期规模10亿元；设立集成电路产业专项资金，重点用于基地内集成电路企业研发创新、公共服务平台建设等集成电路项目建设和运营。同时，开展固定资产投资补助，固定资产投资贷款贴息支持，鼓励商业银行加大对集成电路企业的信贷支持力度，进一步促进知识产权质押融资业务发展。

　　基地基础设施建设也将进一步加快。我市还将把集成电路产业作为石家庄加快培育和发展战略性新兴产业的战略重点，纳入《石家庄市战略性新兴产业发展“十三五”规划》；优先保障基地内集成电路项目用地需求，建设用地计划指标、耕地占补平衡由市政府统筹协调解决。

　　在加速企业培育方面，《意见》明确提出，将扶持试验和检测平台建设，扶持培育应用市场，降低企业运营成本，鼓励企业做大做强。

　　对基地内新认定的国家级企业技术中心、工程技术研究中心、重点实验室、工程实验室，在落实国家和省奖励政策基础上，市财政给予一次性500万元补助。鼓励各类大型系统设备制造企业或检测机构，在基地建立研发试验室或检测中心，对其年度新增设备投资在5000万元以上的，按其实际投资额的5%给予一次性资金补贴，最高不超过1000万元。鼓励集成电路企业新产品开发和研制，经有关部门认定，按单个项目实际发生的研发费用给予10%的奖励，最高不超过200万元。

　　对注册在基地内年度营业收入首次突破5亿元、10亿元、50亿元、100亿元的集成电路企业，给予企业核心团队最高不超过50万元、100万元、500万元、1000万元一次性奖励。

　　人才是基地发展的核心要义。为不断加大对高端人才的吸引力，《意见》指出，对于引进到基地工作的两院院士，给予每人1000万元科研经费补贴和200万元安家费，对于引进到基地工作的入选国家“千人计划”、“长江学者”、河北省“百人计划”及同等层次的集成电路高端人才带项目来我市创业工作，经评审后分别给予300万元至500万元的科研经费和100万元安家费。对掌握国际领先技术、生成重大项目落户基地的人才或团队，经评审后分别给予1000万元至5000万元的项目建设资金支持。

　　同时，鼓励职业培训学校与基地、企业共同建立集成电路技工人才合作培养机制，实行产教结合，对采取“订单培养”、“定向培养”，建立“教学车间”、“教学工厂”等方式开展集成电路领域技工培训的项目学校，进行定向补助和扶持。

　　在优化服务环境方面，《意见》明确，基地项目落地实施全程代办服务，包括高效、便捷的注册服务、备案、环评、能评、水评、规划、建设及租赁等各项手续和相关事务。基地提供完善的基础设施配套条件，并在选址、配套条件、要素成本和公共租赁住房等方面提供支持。

　　此外，在积极落实国家、省、市对集成电路产业相关优惠政策的基础上，我市还将对引进的特别重大集成电路产业项目，按照“一企一议”、“一事一议”政策给予重点支持。

据悉，随着京津冀协同发展战略的深入实施，正定作为“京-津-石”的创新枢纽节点、“京-保-石”万亿产业带的重要战略支点，已成为北京、河北两地落实京津冀协同创新发展战略的重点区域。由石家庄市与北京中关村合作共建的石家庄正定集成电路产业基地已成为继上海、北京、西安之后全国集成电路产业第四极。

附件：

石家庄市人民政府关于支持石家庄（正定）中关村集成电路产业基地发展的若干意见

（石政发〔2016〕57号）

正定县人民政府，市政府有关部门：

为贯彻落实国务院《国家集成电路产业发展推进纲要》，深入实施京津冀协同发展战略，积极推进“石家庄（正定）中关村集成电路产业基地”（以下简称“基地”）建设，在贯彻落实好国家和省支持集成电路产业发展政策的基础上，结合我市实际，制定本意见。

一、加大投融资支持编辑

（一）设立集成电路产业投资基金。以财政资金为引导，积极争取国家和省相关基金参股，引入社会资本共同参与组建基金，基金总规模100亿元，首期规模10亿元。基金以股权投资等方式支持集成电路产业发展，推动重点企业兼并重组，对集成电路项目跟进投资。

（二）设立集成电路产业专项资金。财政安排专项资金重点用于基地内集成电路企业研发创新、公共服务平台建设、团队引进，知识产权、高端人才奖励补助、贷款贴息、重点项目水电气补贴等集成电路项目建设和运营。

（三）固定资产投资补助。对在基地新注册的从事集成电路产品研发和生产的企业，利用自有资金一次性固定资产投资在1亿元以上的，按照企业竣工决算实际发生的固定资产投资总额5%给予一次性补助，最高不超过1000万元。

（四）固定资产投资贷款贴息支持。对固定资产投资额高于1亿元的项目贷款提供贴息支持，贷款利率低于基准利率的，按实际利率给予贴息；贷款利率高于基准利率的，按基准利率给予贴息，贴息年限不超过五年。

（五）加大融资支持。鼓励商业银行加大对集成电路企业的信贷支持力度，进一步促进知识产权质押融资业务发展。对融资性担保机构和融资租赁公司，为集成电路企业提供担保及租赁服务，财政给予2%的担保额和租赁费用补贴，补贴期限不超过5年，单个企业年度最高不超过100万元。对集成电路企业成功上市按规定给予一次性奖励。

二、加快基础设施建设编辑

（六）完善发展规划。将集成电路产业作为石家庄加快培育和发展战略性新兴产业的战略重点，纳入《石家庄市战略性新兴产业发展“十三五”规划》，制定石家庄市集成电路发展专项规划。

（七）加强承接平台建设。支持各类投资开发主体参与基地标准厂房建设和运营管理，支持以行业协会和龙头企业为主体建设专业园中园。支持政府性平台公司以成熟土地、厂房、流动资金等要素入股，与企业合作经营项目。

（八）代建厂房支持。对于落户基地的集成电路高端封装测试生产线、芯片生产线、关键装备及材料生产线等集成电路产业项目，基地可为项目企业代建定制厂房，由企业先租后购，租赁期5-10年，企业可提前回购。

（九）项目用地支持。优先保障基地内集成电路项目用地需求，建设用地计划指标、耕地占补平衡由市政府统筹协调解决。鼓励采取租赁、先租后让、租让结合、弹性出让等多种供地方式，降低企业用地成本。

三、加速企业培育编辑

（十）扶持试验和检测平台建设。对基地内新认定的国家级企业技术中心、工程技术研究中心、重点实验室、工程实验室，在落实国家和省奖励政策基础上，市财政给予一次性500万元补助。鼓励各类大型系统设备制造企业或检测机构，在基地建立研发试验室或检测中心，对其年度新增设备投资在5000万元以上的，按其实际投资额的5%给予一次性资金补贴，最高不超过1000万元。鼓励集成电路企业新产品开发和研制，经有关部门认定，按单个项目实际发生的研发费用给予10%的奖励，最高不超过200万元。

（十一）扶持培育应用市场。对石家庄市整机企业首购首用基地集成电路企业自主开发的芯片，按照采购金额的10%给予最高不超过100万元的一次性补贴。

（十二）降低企业运营成本。对固定资产投资10亿元以上项目，自投产之日起，水电气热价格三年不变，超出部分财政补贴，每个企业每年补贴最高不超过1000万元。

（十三）鼓励企业做大做强。对注册在基地内年度营业收入首次突破5亿元、10亿元、50亿元、100亿元的集成电路企业，给予企业核心团队最高不超过50万元、100万元、500万元、1000万元一次性奖励。

四、鼓励人才引进编辑

（十四）资金支持。对于引进到基地工作的两院院士，给予每人1000万元科研经费补贴和200万元安家费，对于引进到基地工作的入选国家“千人计划”、“长江学者”、河北省“百人计划”及同等层次的集成电路高端人才带项目来我市创业工作，经评审后分别给予300万元至500万元的科研经费和100万元安家费。对掌握国际领先技术、生成重大项目落户基地的人才或团队，经评审后分别给予1000万元至5000万元的项目建设资金支持。

（十五）生活待遇。人才或团队家属有就业愿望的，在政策允许前提下，最大限度满足本人就业意愿。子女接受义务教育的，由当地教育行政部门协调安排学校就读。有落户要求的，即报即批。按照国家有关规定和程序，可帮助符合条件的外籍高层次人才及其随迁外籍配偶和未满18周岁未婚子女办理《外国人永久居留证》。对于尚未获得《外国人永久居留证》的高层次人才及其配偶和未满18周岁子女，需多次临时出入境的，帮助其办理2至5年有效期的外国人居留许可或多次往返签证。

（十六）产业技能培训。鼓励职业培训学校与基地、企业共同建立集成电路技工人才合作培养机制，实行产教结合，对采取“订单培养”、“定向培养”，建立“教学车间”、“教学工厂”等方式开展集成电路领域技工培训的项目学校进行定向补助和扶持。

五、保护知识产权编辑

（十七）增强知识产权竞争优势。支持和鼓励集成电路企业申请国内外集成电路布图设计专有权或发明专利，对企业的申请按照有关规定给予一定资助。

（十八）加大知识产权保护力度。严厉打击盗版行为，并配合司法机关维护知识产权所有权人的合法权益。

六、优化服务环境编辑

（十九）全程代办服务。基地项目落地实施全程代办服务，包括高效、便捷的注册服务、备案、环评、能评、水评、规划、建设及租赁等各项手续和相关事务。基地提供完善的基础设施配套条件，并在选址、配套条件、要素成本和公共租赁住房等方面提供支持。

（二十）建立部门协商机制。建立由市发改委牵头，市财政、科技、工信、国土等部门参加的联席会议制度，研究落实相关扶持政策，协调解决产业发展相关问题，共同推进产业发展。

七、其它编辑

（二十一）本意见适用于在基地投资的集成电路高端封装测试生产企业、芯片生产企业、关键装备及材料生产企业、集成电路设计企业。

（二十二）在积极落实国家、省、市对集成电路产业相关优惠政策的基础上，对引进的特别重大集成电路产业项目，按照“一企一议”、“一事一议”政策给予重点支持。

（二十三）本意见具体实施细则或办法由相关部门另行制定。

（二十四）本意见执行期限五年，自印发之日起施行。

石家庄市人民政府

2016年11月15日

各镇人民政府、街道办事处，经济开发区管委会、安平管理处，泉州出口加工区管理局，福建省集成电路产业园区建设筹备工作组，市直各单位：

《晋江市加快培育集成电路全产业链的若干意见》已经市委常委会第5次（扩大）会议、市政府第81次常务会研究同意，现印发给你们，请认真组织实施。

晋江市人民政府

2016年10月12日

晋江市加快培育集成电路全产业链的若干意见

一、总则

（一）为贯彻落实党中央、国务院支持福建省科学发展跨越发展的战略部署和福建省委、省政府《关于进一步加快产业转型升级的若干意见》等有关精神，积极对接全球集成电路产业资源尤其是台湾地区的高端企业、人才团队，依托“三园一区”打造全球内存重要生产基地、海西地区特色集成电路全产业链生态圈、两岸集成电路产业合作示范中心，特制定本意见。

（二）重点支持和鼓励集成电路设计、制造、封测、装备、材料以及应用终端、创新服务平台等业态的企业、项目、机构、人才入驻（重点鼓励业态目录见附件）。

（三）本意见适用于具有独立法人资格，经营场所、注册地和税务登记均在晋江的集成电路研发、生产和产业链配套、合作企业（或“机构”、“项目”，下同）以及相关优秀人才。

二、落地扶持政策

（一）按“三园一区”（“科学园”规划面积400公顷、“工业园”规划面积733公顷、“设计园”规划面积240公顷和“综合保税区”规划面积约205公顷）布局规划建设集成电路产业园区，根据功能定位分类保障集成电路企业发展空间。

（二）对总投资5—10亿元（单位：人民币，下同）的新建生产性项目，按其生产设备购置金额（以完税发票为依据）的5%给予补助；对总投资超5000万元的集成电路设计企业，按总投资的5%予以补助，最高限额5000万元；对总投资超10亿元的项目（集成电路装备生产项目总投资超5亿元即可）采取“一企一议”方式，从财税、金融、土地、研发等方面予以重点支持。

（三）对租用集成电路产业园区研发、生产、办公场所的企业，前两年免收租金、后三年按50%租金标准缴交，生产性企业最大优惠面积1500平方米，设计企业最大优惠面积500平方米。

三、投融资政策

（一）鼓励本地企业及社会资本投资集成电路产业。依托总规模500亿元的“安芯产业投资基金”，采取直接投资、联合兼并、设立专项投资子基金等形式优先支持企业滚动发展。

（二）对年度纳税总额增长10%以上、且向银行贷款的生产性企业、设计企业，分别按当年实际支付银行利息的30%、50%补贴，单一企业最高限额200万元。

（三）对投资本地集成电路项目、且年度投资总额超5000万元的股权投资企业，按其当年集成电路项目投资总额的1%给予奖励，最高限额300万元。

（四）对并购市外集成电路项目（不包括股权关联企业）、且并购规模在1亿元以上、10亿元以下的集成电路企业或社会资本，按并购金额的5%奖励，并购规模达10亿元及以上的采取“一企一议”方式重点扶持；对并购过程中发生的评估、审计、法律顾问等前期费用，按30%比例补助，单一企业年度最高限额300万元。其中，社会资本并购项目须落地本市方可享受本政策。

四、成长激励政策

（一）鼓励本地传统制造业企业与集成电路企业合作开发智能化产品，对采购本地企业芯片或模组产品、且年度智能化产品销售收入首次超1亿元的本地传统制造企业，按年度采购额的10%奖励，年度最高限额500万元，奖励时限“自首次超1亿元销售收入起3年内”；对采购本地企业芯片或模组产品、且年度销售收入10亿元以上的本地集成电路系统（整机）、终端企业，按首次采购额的40%奖励，最高限额500万元。

（二）对年度销售收入超过1、3、5、10亿元的生产性企业，分别参照其当年比上年新增增值税、企业所得税地方留成部分的50%、40%、30%、20%予以奖励，奖励时限为“自首次超过上述销售收入标准之一起3年内”。

（三）对年销售收入超过2000、5000、8000万元和1亿元的集成电路设计企业，分别参照其当年比上年新增增值税、企业所得税地方留成部分的50%、40%、30%、20%予以奖励，奖励时限为“自首次超过上述销售收入标准之一起3年内”。

五、科研鼓励政策

（一）依托福州大学晋江科教园、联合国内外知名科研院校建立“微电子研究院”；鼓励发展各类集成电路产业公共服务平台，为集成电路企业提供前沿技术和科技创新保障。

（二）对集成电路核心技术攻关和产业化项目，优先给予科技立项支持；对获得国家、福建省、泉州市级立项支持的集成电路类科技计划项目，按上级扶持资金总额的100%配套奖励，单一企业最高限额500万元。

（三）对获批省级企业技术中心、工程技术研究中心、重点实验室的企业，一次性奖励120万元；对获批国家级企业技术中心、工程技术中心、重点实验室的企业，一次性奖励250万元。

（四）对新认定的国家集成电路设计企业、国家级创新型企业、高新技术企业、国家知识产权示范企业，分别给予100、100、50、30万元一次性奖励。

（五）对获国家自然科学奖、国家技术发明奖、国家科技进步奖、中国专利金奖的企业，在奖励企业政策基础上按上级奖励金额的50%奖励其创新团队或个人。

（六）对经认定（认定办法另行出台）的工程技术研究中心、行业技术开发中心、重点实验室和企业技术中心，参照其新购置研发设备实际投入的30%予以补助，单一机构累计最高限额2000万元。

（七）对采用多项目晶圆（MPW）进行产品研发的企业，按MPW直接费用的70%（高校或科研院所按80%）和工程片试流片加工费的30%给予补助，单一企业年度最高限额250万元；对利用晋华集成电路生产线流片的企业，按首次工程流片费用（含IP授权或购置、掩模板制作、流片等）的40%给予补助，单一企业年度最高限额500万元。

（八）对购买IP开展高端芯片研发的企业，按IP购买直接费用的50%补助，单一企业年度最高限额250万元；对通过第三方IC设计平台实行IP复用（知识产权共享）、共享设计工具软件或进行测试分析的企业，按实际产生费用的55%补助，单一企业年度最高限额150万元。

（九）对获得国内、外发明专利的企业，在现行政策奖励标准基础上追加50%奖励，单一企业年度最高限额提高到50万元。

（十）对在晋举办的国际性、全国性集成电路科技类论坛、展会等，分别按举办费用的50%、30%给予承办机构一次性补助，单场（次）最高限额分别为100万元和50万元。

六、人才优待政策

（一）制定集成电路优秀人才（以下简称“优秀人才”）认定标准（另行出台），分1-5类对应纳入本市现行人才政策保障范畴，按原标准的150%发放工作津贴，分别为15000、12000、6000、3000、750元/人·月。

（二）对企业聘用的、年薪达个税自行申报额的高端人才，自达自行申报额年度起，三年内参照实缴个税地方留成部分的100%发放培训补贴，之后两年按50%标准发放。

（三）对入选泉州市级及以上“高层次创业创新人才”的优秀人才，分别按国家级资助额的100%、省和泉州市级资助额的50%一次性配套奖励，对相应层次的高端紧缺优秀人才，经认定可参照享受本条款。

（四）对租住本市国际人才社区和高端人才社区人才房（入住条件另行制定）的优秀人才，租金按当期市场价格的50%收取，优惠期5年。其中，为本地企业服务满5年（时间可累计）且承租满5年的，根据个人意愿可申请购买所租住房，价格按购房时房产评估价的6折计算，此前已支付的房租可抵扣购房款；在本市其他社区购置商品房的，1—5类分别按80、40、20、10、5万元的标准补助，分三年兑现，但不与上述人才房购房政策重复享受。

（五）根据调查摸底情况，每年单列一定数量的公办优质中小学和幼儿园招生名额，专项用于保障优秀人才子女就学；1-3类优秀人才的子女就读本市国际（双语）学校的，按实缴学杂费的30%补助。

（六）优秀人才在本市公立医院就医，可享受绿色通道、先诊疗后付费特别服务；已参加医疗保险的，在扣除医疗保险报销部分后按30%的比例补助（个人参加基本医疗保险情况须提前报备），1—5类优秀人才年度最高限额分别为20、15、10、5、3万元。

七、附则

（一）本意见未列的特别项目及其他事宜，采取“一事一议”的办法报市政府研究确定；已获得“一企一策”重大项目扶持措施的企业不再享受本意见中的相关扶持政策。

（二）除特别规定外，同一企业（或个人）获多层级认定或奖励的，按最高等次享受本级政策，获同级别多次认定或奖励的不予重复享受；同一企业（或个人）符合本市多项政策条款或性质相似条款的，按最高标准奖励。

（三）本意见有效期五年，自2016年11月11日开始实施至2021年10月11日止，2016年10月12日起至2016年11月10日参照执行。

（四）本意见由福建省集成电路产业园区建设管理机构负责解释并制定具体《操作程序》。

附件：晋江市集成电路重点鼓励业态目录

附件：

集成电路重点鼓励业态目录

一、集成电路制造类

（一）集成电路制造

1．内存产品制造线（核心项目）：利基型内存制造、高端内存制造

2．逻辑IC产品制造线

（二）集成电路封测

1．内存封测

2．TSV（硅穿孔技术）

3．SIP（系统级封装）

4．WL-CSP（晶圆级封装）

（三）集成电路设计

1．内存相关：内存控制器设计

2．智能穿戴装置（鞋服）/消费电子终端方面：包括网络芯片设计、RFID设计、MEMS传感器设计、物联网芯片设计

3．光电显示模组方面：面板驱动设计、触控设计、高速接口设计、LED芯片设计

二、集成电路配套类

（一）集成电路装备

1．制造设备：干法刻蚀机、离子注入机、气相沉积设备、清洗设备、洗净/干燥装备、涂布/显影装备、切割机、Plasma CVD、干式刻蚀、CMP研磨装备

2．封装设备：光刻机、打线机、绑定机、清洗设备

3．检测设备：线宽和缺陷检测电镜、光学检测仪器、真空泵、检漏仪、内存测试机、逻辑测试装备

（二）集成电路材料

1．光罩

2．工业气体

3．硅晶圆

4．抛光液

5．光刻胶

6．靶材

7．支撑环

8．环氧树脂

9．金属丝线

三、集成电路应用终端类

（一）智能穿戴产品（包括智能衣、感应鞋、智能运动健身器械、智能帽、智能袜、智能行李箱等）

（二）智能装备（包括数控机床等）

（三）智能汽车（包括汽车电子、无人车、车联网等）

（四）物联网

晋江市人民政府办公室  

                                          2016年10月12日